Scholar Hub/Chủ đề/#random access memory/
RAM (Random Access Memory) là một loại bộ nhớ máy tính có tốc độ cao, cho phép truy cập dữ liệu theo địa chỉ một cách ngẫu nhiên. Nó giữ vai trò quan trọng trong hiệu suất hệ thống, là bộ nhớ tạm thời mất dữ liệu khi máy tắt. RAM có các loại chính: SDRAM (đồng bộ với hệ thống), DRAM (dùng tụ điện và transistor, cần làm mới) và SRAM (dùng mạch lật, không cần làm mới, nhanh hơn, nhưng đắt hơn). RAM giúp tăng tốc độ xử lý, hỗ trợ đa nhiệm tốt hơn. Hiểu rõ về RAM giúp người dùng chọn đúng khi nâng cấp hệ thống.
Bộ Nhớ Truy Cập Ngẫu Nhiên (RAM) là gì?
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, hay thường được biết đến với tên gọi RAM (Random Access Memory), là một loại bộ nhớ máy tính có thể đọc và ghi dữ liệu với tốc độ cao. RAM được gọi là "truy cập ngẫu nhiên" vì có thể truy cập bất kỳ ô nhớ nào một cách trực tiếp theo địa chỉ mà không cần phải đi theo thứ tự. Đây là một trong những thành phần quan trọng nhất của máy tính và đóng vai trò quyết định trong hiệu suất hoạt động của hệ thống.
Cấu Trúc và Nguyên Lý Hoạt Động của RAM
RAM được cấu tạo từ một mạng lưới các ô nhớ, mỗi ô nhớ đều có một địa chỉ duy nhất. Khi máy tính cần truy cập hoặc viết dữ liệu, bộ điều khiển bộ nhớ sẽ sử dụng địa chỉ ô nhớ để gửi hoặc nhận thông tin. RAM là loại bộ nhớ tạm thời, có nghĩa là nó chỉ lưu trữ dữ liệu khi máy tính đang bật và sẽ mất hết khi máy tắt.
Các Loại RAM Phổ Biến
SDRAM (Synchronous DRAM)
SDRAM là loại RAM hoạt động đồng bộ với bus của hệ thống để tăng hiệu suất. Phiên bản cải tiến của SDRAM bao gồm DDR (Double Data Rate SDRAM) và các thế hệ tiếp theo như DDR2, DDR3, và mới nhất là DDR4 và DDR5, mang lại tốc độ nhanh hơn và hiệu quả năng lượng hấp dẫn hơn.
DRAM (Dynamic RAM)
DRAM là loại RAM phổ biến nhất, sử dụng một tụ điện và một transistor cho mỗi bit dữ liệu, cần phải được làm mới thường xuyên để giữ dữ liệu. Tính chất động của DRAM cho phép nó đạt được mật độ cao và giá thành thấp.
SRAM (Static RAM)
Khác với DRAM, SRAM không cần phải làm mới liên tục, nhờ sử dụng các mạch lật (flip-flop) để giữ dữ liệu. Tuy nhiên, nó có giá thành cao hơn và tiêu thụ nhiều năng lượng hơn. SRAM thường được sử dụng cho cache CPU nhờ tốc độ vượt trội.
Lợi Ích và Ứng Dụng của RAM
RAM đóng vai trò quan trọng trong việc tăng tốc độ xử lý của máy tính bằng cách cung cấp một không gian lưu trữ tạm thời cho dữ liệu và các lệnh đang được xử lý. Hầu hết các hệ điều hành và ứng dụng phần mềm đều yêu cầu một lượng RAM nhất định để hoạt động hiệu quả. RAM càng nhiều thì khả năng đa nhiệm của hệ thống càng tốt, giúp người dùng có thể chạy nhiều ứng dụng cùng lúc mà không gặp hiện tượng giật lag.
Kết Luận
RAM là một phần không thể thiếu trong cấu trúc của máy tính hiện đại. Hiểu rõ về các loại RAM và cách chúng hoạt động có thể giúp người dùng đưa ra quyết định sáng suốt khi nâng cấp hoặc mua một hệ thống máy tính mới. Với sự phát triển không ngừng của công nghệ, RAM đang ngày càng trở nên mạnh mẽ hơn, giúp cải thiện hiệu suất hệ thống và tạo ra những khả năng mới cho người sử dụng.
Bộ Nhớ Truy Cập Ngẫu Nhiên Kết Kháng (RRAM): Tổng Quan Về Vật Liệu, Cơ Chế Chuyển Đổi, Hiệu Suất, Lưu Trữ Đa Cấp (MLC), Mô Hình Và Ứng Dụng Dịch bởi AI Nanoscale Research Letters - Tập 15 Số 1 - 2020
Tóm tắtBài viết này điểm qua những tiến bộ gần đây trong lĩnh vực công nghệ bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên kết kháng (RRAM), được coi là một trong những công nghệ bộ nhớ nổi bật nhất đang nổi lên nhờ vào tốc độ cao, chi phí thấp, mật độ lưu trữ cao, những ứng dụng tiềm năng trong nhiều lĩnh vực và khả năng mở rộng tuyệt vời. Đầu tiên, bài viết cung cấp cái nhìn tổng quát về lĩnh vực các công nghệ bộ nhớ mới nổi. Các đặc tính vật liệu, cơ chế chuyển đổi điện trở và đặc tính điện của RRAM được thảo luận. Ngoài ra, nhiều vấn đề như độ bền, khả năng giữ dữ liệu, đồng nhất và ảnh hưởng của nhiệt độ hoạt động cũng như tiếng ồn điện tử ngẫu nhiên (RTN) cũng được phân tích chi tiết. Một thảo luận về khả năng lưu trữ đa cấp (MLC) của RRAM, điều này thu hút sự quan tâm để đạt được mật độ lưu trữ cao hơn và chi phí thấp hơn, cũng được trình bày. Các phương thức hoạt động khác nhau để đạt được hoạt động MLC đáng tin cậy cũng như các cơ chế vật lý của chúng đã được cung cấp. Bên cạnh đó, một mô tả tỉ mỉ về các phương pháp chuyển đổi và mối quan hệ giữa điện áp và dòng cho nhiều mô hình RRAM phổ biến cũng được đề cập trong công trình này. Các ứng dụng tiềm năng của RRAM trong các lĩnh vực như an ninh, điện toán neuromorphic và các hệ thống logic không tạm thời cũng được đề cập ngắn gọn. Bài báo tổng hợp hiện tại kết thúc với cuộc thảo luận về những thách thức và triển vọng tương lai của RRAM.
Deposition of extremely thin (Ba,Sr)TiO3 thin films for ultra-large-scale integrated dynamic random access memory applicationApplied Physics Letters - Tập 67 Số 19 - Trang 2819-2821 - 1995
(Ba,Sr)TiO3 (BST) thin films with thicknesses ranging from 15 to 50 nm are prepared by a rf magnetron sputtering on Pt/SiO2/Si substrates. The dielectric constants of BST thin films increase with increasing deposition temperature and thicknesses. The leakage current increases with increasing deposition temperature and this prevents the deposition temperature of the 20 nm thick BST thin film from being increased to a value more than 640 °C. The leakage current is also critically dependent upon the postannealing temperature and atmosphere after the top electrode fabrication. The dielectric constant increases with increasing postannealing temperature which further reduces the SiO2 equivalent thicknesses of the BST thin films. A 20 nm thick BST thin film deposited at 640 °C and postannealed at 750 °C under N2 atmosphere for 30 min, shows a SiO2 equivalent thickness of 0.24 nm, dielectric dissipation factor less than 1%, and leakage current of about 40 nA/cm2 at ∓1.5 V.
Mô hình vật lý của hiệu ứng nhiệt Joule động cho quá trình đặt lại trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cầu dẫn Dịch bởi AI Springer Science and Business Media LLC - Tập 13 - Trang 432-438 - 2014
Hiệu ứng nhiệt Joule động của quá trình đặt lại trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cầu dẫn (CBRAM) đã được nghiên cứu lý thuyết. Bằng cách giới thiệu hiệu ứng hình học của sợi dẫn (CF), phân bố nhiệt độ và điện trường trong trạng thái tạm thời trong cả trường hợp một chiều và ba chiều được thảo luận chi tiết. Chúng tôi phát hiện rằng hình học của CF đóng vai trò quan trọng trong quá trình gia nhiệt Joule tạm thời, và hiệu ứng nhiệt tạm thời ngày càng trở nên đáng kể khi điện áp áp dụng tăng trong quy trình đặt lại. Vị trí được đề xuất mà CF bị đứt là giữa vị trí cao điểm nhiệt độ và đầu hẹp của CF chứ không phải là điểm cao nhất nhiệt độ trong hệ thống CF hình nón. Điều thú vị hơn là sự đứt gãy của CF có khả năng xảy ra trong quá trình tạm thời, trước khi trạng thái ổn định được thiết lập.
#hiệu ứng nhiệt Joule #bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên cầu dẫn #quá trình đặt lại #hình học sợi dẫn #phân bố điện trường
